第三代半導體在我國發展的開端應追溯至2013年。當年我國科技部制定“863計劃”首次明確將第三代半導體產業劃定為國家戰略發展產業。隨后2016年，國務院國家新產業發展小組將第三半導體產業列為發展重點之一。至此，我國企業開始加大對第三半導體研發投入。2018年中車時代電氣建成了我國首條6英寸碳化硅SiC生產線。同年泰科天潤建成了我國首條碳化硅SiC器件生產線。2019年，三安集成建成了我國首條6英寸氮化鎵GaN外延芯片產線并投入量產。2020年華潤微宣布國內首條6英寸商用SiC晶圓生產線正式量產。

2020年第三代半導體產業被編入了我國“十四五”規劃。截至當年底，我國SiC導電型襯底折算4英寸產能約40萬片/年，SiC-on-SiC外延片折算6英寸產能約為22萬片/年，SiC-onSiC器件/模塊(4/6英寸兼容)產能約26萬片/年。GaN-on-Si外延片折算6英寸產能約為28萬片/年，GaN-on-Si器件/模塊折算6英寸產能約為22萬片/年。2021年，我國SiC襯底環節新增投產項目超過7項，新增投產年產能超過57萬片。

目前，GaN電力電子器件主要應用在快充領域。SiC電力電子器件重點應用于新能源汽車和充電樁領域。隨著，新能源汽車、5G、PD快充等市場的快速發展，我國國產第三代半導體產能無法滿足市場需求。據統計，目前超過八成產品來自進口。

2021年我國第三代半導體產業，在電力電子和射頻電子兩個領域，實現總產值達127億元。其中SiC、GaN電力電子產值規模達58億元。GaN微波射頻產值達到69億元。在國家政策的穩定支持和下游應用市場需求支撐下，預計2027年，我國SiC、GaN電力電子器件應用市場有望超660億元，GaN微波射頻器件市場超240億元。2027年我國第三代半導體整體市場規模有望超過900億元。

SEMI-e 2022深圳國際半導體技術暨應用展將于2022年12月7-9日，在深圳國際會展中心17號館（展示面積：5萬平米）舉行。

由中國通信工業協會、深圳市半導體行業協會、廣東省集成電路行業協會、廣州市半導體行業協會、江蘇省半導體行業協會、浙江省半導體行業協會、成都市集成電路行業協會、深圳市中新材會展有限公司聯合主辦。