
氮化鎵GaN、碳化硅SiC為主要代表的第三代半導(dǎo)體材料。在禁帶寬度、介電常數(shù)、導(dǎo)熱率及最高工作溫度等方面性能優(yōu)越,在新能源汽車、5G通信、數(shù)據(jù)中心、光伏等領(lǐng)域領(lǐng)頭企業(yè)逐步使用。

SEMI-e


氮化鎵GaN、碳化硅SiC為主要代表的第三代半導(dǎo)體材料。在禁帶寬度、介電常數(shù)、導(dǎo)熱率及最高工作溫度等方面性能優(yōu)越,在新能源汽車、5G通信、數(shù)據(jù)中心、光伏等領(lǐng)域領(lǐng)頭企業(yè)逐步使用。與Si硅基MOSFET、IGBT相比,SiC MOSFET在開關(guān)效率、損耗、尺寸、頻率、體積等指標(biāo)上優(yōu)勢(shì)

氮化鎵GaN、碳化硅SiC為主要代表的第三代半導(dǎo)體材料。在禁帶寬度、介電常數(shù)、導(dǎo)熱率及最高工作溫度等方面性能優(yōu)越,在新能源汽車、5G通信、數(shù)據(jù)中心、光伏等領(lǐng)域領(lǐng)頭企業(yè)逐步使用。

SEMI-e


版權(quán)所有:廣州動(dòng)安汽車壓縮機(jī)有限公司
周一至周六:09:00-12:00
13:30-18:30
